Контрольная по электронике

Вариант №1

1.1. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 350 К. Удельное сопротивление p - области германиевого p-n перехода r_p  = 2 Ом×см, а удельное сопротивление n - области r_n= 1 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×10¹³ см^-3, 0,12 и 0,05 м²/В×С соответственно.

2.1. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p-n переход имеет обратный ток насыщения I₀ =5 мкА, а кремневый - I₀ = 10^-9 А. Причем через каждый диод протекает ток 50 ма.

3.1. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 20⁰С и обратном напряжении U₁=5 в равна С₁ = 25 нФ. Найдите его емкость при обратном напряжении U₂=10 в. собственная концентрация носителей заряда в кремнии n_i = 1,5×10¹⁶ м^-3, концентрация акцепторной примеси N_а =10²⁰ м^-3, концентрация донорной примеси N_д = 2×10²⁰ м^-3.

4.1. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 30⁰С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,1 мА.

5.1. По вольтамперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803А для схемы с общим эмиттером (рисунок 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы и напряжением коллектора .

6.1. Биполярный транзистор КТ 803А работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания Е_пит=20В, ток базы I_б=50 мА, сопротивление нагрузки R_н =10 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольтамперные характеристики (рисунок 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.

7.1. Транзистор p-n-p включен по схеме, изображенной на рисунке 10. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a=0,9 и обратный ток коллекторного перехода I_кб0=6 мкА.

8.1. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой f_h21Б=5 МГц, а коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах h_21БО=0,95. Определите модуль коэффициента передачи тока эмиттера на частоте 10 МГц.

9.1. Найти систему Y - параметров транзистора, если известна система его h - параметров: h₁₁ = 10 кОм; h₁₂ = 0,001; h₂₁ = 10; h₂₂ = 10^-4 Ом^-1.

10.1. 1. Привести схематическое обозначение транзистора ГТ108Б, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 8 В, эмиттер 6 В, база 4 В. Ответ поясните.

11.1. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 B для схемы с общим истоком (рисунок 13) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: , .

12.1. Полевой транзистор КП 302В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания Е_пит=15В, напряжение затвор-исток U_зи=-1В, сопротивление нагрузки R_н=300Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рисунок 14) найдите ток стока и напряжение сток-исток.

13.1. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302В для схемы с общим истоком (рисунок 14) определите систему Y - параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: , . Ток затвора считать равным нулю.

14.1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом ток стока I_cmax=1мА, напряжение отсечки U_отс =12В. Найдите, какой ток протекает в транзисторе при обратном напряжении смещения затвор-исток равном U_зи=4В и чему равна крутизна в этом случае.

15.1. Объясните, почему с увеличением концентрации акцепторной примеси в р-области электронно-дырочного перехода возрастает контактная разность потенциалов.

16.1. Объясните, почему с увеличением напряжения коллектор-эмиттер в биполярном транзисторе возрастает коэффициент передачи тока эмиттера.

17.1. Объясните, почему с уменьшением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p-n-затвором и каналом n-типа наблюдается увеличение сопротивления канала.

18.1. Объясните, почему с увеличением ширины канала в МДП транзисторе возрастает ток стока.